IRL530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 17А [D2-PAK] (=IRL530NSPBF)
![Фото 1/4 IRL530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 17А [D2-PAK] (=IRL530NSPBF)](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/971/DOC023971812.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/843/DOC043843759.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/461/DOC004461951.jpg)
790 ֏
650 ֏
от 15 шт. —
610 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 650 ֏
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 100В, 17А
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 ом при 9a, 10в | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 | |
Крутизна характеристики, S | 7.7 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRL530NSTRRPBF
pdf, 466 КБ
Datasheet irl530nspbf
pdf, 460 КБ