Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRL6372TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 8.1А ...

IRL6372TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 8.1А [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

730 ֏

397 ֏

от 25 шт. — 384 ֏

1 шт. на сумму 397 ֏

Номенклатурный номер: 9000112000

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.

Технические параметры

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0179 Ом/8.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	30
Корпус	SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе	0.5…1.1
Вес, г	0.15