IRLL024NTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.1А logic [SOT-223]
![Фото 1/7 IRLL024NTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.1А logic [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395409.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/501/DOC016501509.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/640/DOC021640647.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/775/DOC043775450.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/087/DOC012087510.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC022368769.jpg)
425 ֏
267 ֏
от 50 шт. —
251 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 267 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.065 Ом/3.1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 | |
Крутизна характеристики, S | 3.3 | |
Корпус | SOT-223 | |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 116 КБ
Datasheet
pdf, 468 КБ
Datasheet IRLL024NTRPBF
pdf, 475 КБ