IRLML2402TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 1.22А [Micro3 / SOT-23]
![Фото 1/10 IRLML2402TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 1.22А [Micro3 / SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC001583113.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/346/DOC022346165.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/800/DOC029800859.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/915/DOC037915333.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/915/DOC037915337.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/025/DOC038025896.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/025/DOC038025900.jpg)
261 ֏
103 ֏
от 100 шт. —
92 ֏
1 шт.
на сумму 103 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 Ом/0.93А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.54 | |
Крутизна характеристики, S | 1.3 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 0.7 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 246 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLML2402TRPBF
pdf, 248 КБ
Datasheet IRLMl2402
pdf, 192 КБ