IRLML2502TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]
![Фото 1/8 IRLML2502TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC001583113.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/343/DOC022343417.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/250/DOC031250219.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/250/DOC031250226.jpg)
234 ֏
от 100 шт. —
214 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 234 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
N CHANNEL MOSFET, 20V, 4.2A, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4.2A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):45mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1.2V, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.045 Ом/4.2А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
Крутизна характеристики, S | 5.8 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1.2 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet IRLML2502TRPBF
pdf, 191 КБ
Datasheet IRLML2502TRPBF
pdf, 198 КБ
Datasheet IRLML2502
pdf, 120 КБ