IRLML2803TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 1.2А logic [Micro3 / SOT-23]
![Фото 1/10 IRLML2803TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 1.2А logic [Micro3 / SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/882/DOC005882639.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/483/DOC047483156.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/349/DOC008349589.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/342/DOC022342565.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/252/DOC031252087.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/253/DOC031253208.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/963/DOC042963215.jpg)
82 ֏
от 100 шт. —
74 ֏
1 шт.
на сумму 82 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 Ом/0.91А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.54 | |
Крутизна характеристики, S | 0.87 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLML2803TRPBF
pdf, 252 КБ
IRLML2803 datasheet
pdf, 100 КБ
Документация
pdf, 250 КБ
Документация=
pdf, 263 КБ
Datasheet IRLML2803PBF
pdf, 235 КБ