IRLML6302TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 0.78А logic [Micro3 / SOT-23]
![Фото 1/7 IRLML6302TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 0.78А logic [Micro3 / SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC001583113.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/349/DOC008349589.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/343/DOC022343139.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
132 ֏
от 100 шт. —
119 ֏
1 шт.
на сумму 132 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
MOSFET, P, LOGIC, SOT-23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:600mA, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):600mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-1.5V, No. of Pins:3Pins , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.78 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/0.61А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.54 | |
Крутизна характеристики, S | 0.56 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | -0.7 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 246 КБ
Datasheet IRLML6302TRPBF
pdf, 244 КБ
IRLMl6302pbf
pdf, 636 КБ
Datasheet IRLML6302
pdf, 100 КБ