IRLML6346TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 3.4А [Micro3 / SOT-23]
![Фото 1/7 IRLML6346TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 3.4А [Micro3 / SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/929/DOC013929846.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/327/DOC028327718.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
121 ֏
от 100 шт. —
105 ֏
1 шт.
на сумму 121 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.063 Ом/3.4А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 9.5 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.1 | |
Вес, г | 0.05 |