IRLML6401TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 4.3А logic [Micro3 / SOT-23]
![Фото 1/8 IRLML6401TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 4.3А logic [Micro3 / SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/360/DOC003360029.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC005880207.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/501/DOC027501351.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
237 ֏
171 ֏
от 100 шт. —
155 ֏
1 шт.
на сумму 171 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/4.3А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 8.6 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | -0.95 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 196 КБ
Datasheet
pdf, 198 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация=
pdf, 204 КБ
Datasheet IRLML6401
pdf, 130 КБ