IRLML9301TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3.6А [Micro3 / SOT-23]
![Фото 1/9 IRLML9301TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3.6А [Micro3 / SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/800/DOC029800859.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC012792583.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC035051267.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/883/DOC037883177.jpg)
279 ֏
178 ֏
от 100 шт. —
160 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 178 ֏
Посмотреть аналоги4
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.064 Ом/3.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 5 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Особенности | мощный ключ | |
Пороговое напряжение на затворе | -2.4 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 194 КБ
Документация=
pdf, 209 КБ
Datasheet IRLML9301PBF
pdf, 242 КБ