IRLR024NTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 17А [D-PAK]
![Фото 1/9 IRLR024NTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 17А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/920/DOC002920999.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395424.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757654.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179876.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/690/DOC009690772.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
590 ֏
344 ֏
от 15 шт. —
318 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 344 ֏
Описание
МОП-транзистор 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.065 ом при 10a, 10в | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 | |
Крутизна характеристики, S | 8.3 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 310 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 306 КБ
IRLR024NPBF Datasheet
pdf, 308 КБ
Datasheet IRLR024N
pdf, 303 КБ