Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRLR120NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал ...

IRLR120NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [DPAK 2Leads+Tab]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 160 ֏

760 ֏

от 15 шт. — 740 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 ֏

Номенклатурный номер: 9000647594

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRLR120NTRPBF от производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Устройство характеризуется током стока 11 А и напряжением сток-исток до 100 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. С мощностью 39 Вт и компактным корпусом DPAK, этот транзистор идеален для использования в различных электронных схемах, где требуется высокая эффективность и минимизация занимаемого пространства. Модель IRLR120NTRPBF гарантирует стабильность и долговечность, благодаря качественному исполнению и проверенной репутации компании INFINEON. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	11
Напряжение сток-исток, В	100
Мощность, Вт	39
Корпус	DPAK

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.185 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	48
Крутизна характеристики, S	3.1
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	0.4