IRLR2705TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 28А [D-PAK]
![Фото 1/5 IRLR2705TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 28А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179876.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC043792464.jpg)
730 ֏
389 ֏
от 15 шт. —
374 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 389 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/17А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 46 | |
Крутизна характеристики, S | 6.4 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |