IRLR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK]
![Фото 1/4 IRLR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757654.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC022407437.jpg)
570 ֏
от 15 шт. —
550 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0135 Ом/36А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 337 КБ
Datasheet IRLR2905ZTRPBF
pdf, 340 КБ
Datasheet IRLR2905Z, IRLU2905Z
pdf, 328 КБ