IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

970 ֏

397 ֏

от 15 шт. — 327 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 397 ֏

Номенклатурный номер: 9000355359

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.105 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	79
Крутизна характеристики, S	7.7
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе	1…2
Вес, г	0.4