IRLR7843TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 160А [D-PAK]
![Фото 1/5 IRLR7843TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 160А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179876.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757654.jpg)
1 460 ֏
950 ֏
от 15 шт. —
930 ֏
1 шт.
на сумму 950 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 161 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0033 Ом/15А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
Крутизна характеристики, S | 37 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |