IRS21864STRPBF, Драйвер IGBT/MOSFET, 4А [SOIC-14-0.154]
![Фото 1/6 IRS21864STRPBF, Драйвер IGBT/MOSFET, 4А [SOIC-14-0.154]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299769.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172603.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC031403594.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/839/DOC043839603.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/053/DOC045053336.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/558/DOC013558952.jpg)
3 400 ֏
2 350 ֏
от 5 шт. —
2 320 ֏
1 шт.
на сумму 2 350 ֏
Описание
IRS21864STRPBF, SP001548858
Технические параметры
Конфигурация | Half-Bridge | |
Тип канала | независимый | |
Кол-во каналов | 2 | |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
Напряжение питания, В | 10…20 | |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 | |
Логическое напряжение (VIH), В | 2.5 | |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 4 | |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 4 | |
Тип входа | неинвертирующий | |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 | |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 22 | |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 15 | |
Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
Корпус | SOIC-14(0.154 inch) | |
Вес, г | 0.7 |