IRS2308SPBF, Gate Driver, 2 канал(-ов), Высокая Сторона, MOSFET, 8 вывод(-ов), SOIC
![Фото 1/4 IRS2308SPBF, Gate Driver, 2 канал(-ов), Высокая Сторона, MOSFET, 8 вывод(-ов), SOIC](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171135.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/092/DOC024092083.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/431/DOC013431789.jpg)
1 560 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
1 250 ֏
от 50 шт. —
1 130 ֏
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 12 480 ֏
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
Описание IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | драйвер |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Тип входа | Non-Inverting | |
IC Case / Package | SOIC | |
Задержка Выхода | 200нс | |
Задержка по Входу | 220нс | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Количество Каналов | 2канал(-ов) | |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона | |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
Максимальное Напряжение Питания | 20В | |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
Минимальное Напряжение Питания | 10В | |
Стиль Корпуса Привода | SOIC | |
Тип переключателя питания | MOSFET | |
Ток истока | 290мА | |
Ток стока | 600мА | |
Brand: | Infineon Technologies | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3800 | |
Fall Time: | 80 ns | |
Features: | Synchronous | |
Logic Type: | CMOS, TTL | |
Manufacturer: | Infineon | |
Maximum Operating Temperature: | +125 C | |
Maximum Turn-Off Delay Time: | 200 ns | |
Maximum Turn-On Delay Time: | 220 ns | |
Minimum Operating Temperature: | -40 C | |
Moisture Sensitive: | Yes | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Drivers: | 2 Driver | |
Number of Outputs: | 2 Output | |
Operating Supply Current: | 1.6 mA | |
Operating Supply Voltage: | 10 V to 20 V | |
Output Current: | 290 mA | |
Output Voltage: | 10 V to 20 V | |
Package / Case: | SOIC-8 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW | |
Product Category: | Gate Drivers | |
Product Type: | Gate Drivers | |
Product: | IGBT, MOSFET Gate Drivers | |
Propagation Delay - Max: | 300 ns | |
Rise Time: | 220 ns | |
Subcategory: | PMIC-Power Management ICs | |
Supply Voltage - Max: | 20 V | |
Supply Voltage - Min: | 10 V | |
Technology: | Si | |
Type: | Half-Bridge | |
Fall Time | 35ns | |
Logic Type | CMOS, LSTTL | |
Output Current | 290 mA | |
Package Type | 8-Lead SOIC | |
Pin Count | 8 | |
Supply Voltage | 20V | |
Вес, г | 0.2 |