IXFA3N120, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 1.2 кВ, 3 А, 4.5 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
![Фото 1/3 IXFA3N120, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 1.2 кВ, 3 А, 4.5 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955324.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/177/DOC036177248.jpg)
10 400 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
9 700 ֏
2 шт.
на сумму 20 800 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 3А, 200Вт, TO263 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 4.5Ом |
Power Dissipation | 200Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HiPerFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 3А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4.5Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Case | TO263 |
Drain current | 3A |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Gate charge | 39nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
Polarisation | unipolar |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IXFA3N120
pdf, 612 КБ