IXFH10N80P, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 10 А, 1.1 Ом, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 940 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 4 450 ֏

от 100 шт. — 3 330 ֏

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 14 820 ֏

Номенклатурный номер: 8004136246

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3 Характеристики

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.1Ом
Power Dissipation	300Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	Polar HiPerFET
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	10А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5.5В
Рассеиваемая Мощность	300Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.1Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	4