N-Channel MOSFET, 36 A, 500 V, 3-Pin TO-247AD IXFH36N50P
![Фото 1/6 N-Channel MOSFET, 36 A, 500 V, 3-Pin TO-247AD IXFH36N50P](https://static.chipdip.ru/lib/360/DOC039360213.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC003255307.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/360/DOC039360216.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/872/DOC025872371.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/872/DOC025872375.jpg)
18 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 540 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AD |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
Width | 5.3mm |
Id - непрерывный ток утечки | 36 A |
Pd - рассеивание мощности | 540 W |
Qg - заряд затвора | 93 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 27 ns |
Время спада | 21 ns |
Высота | 21.46 mm |
Длина | 16.26 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 36 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFH36N50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Вес, г | 15 |