IXFH42N60P3, МОП-транзистор, N Канал, 42 А, 600 В, 0.185 Ом, 10 В, 4.5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 600 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
8 200 ֏
от 10 шт. —
7 600 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 17 200 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 42А, 830Вт, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
Pd - рассеивание мощности | 830 W |
Qg - заряд затвора | 78 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 185 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 23 ns |
Время спада | 17 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 42 S, 25 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFH42N60 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 12.81 |
Техническая документация
Datasheet IXFH42N60P3
pdf, 632 КБ