IXFH60N50P3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 60 А, 0.1 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 300 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 500В, 60А, 1040Вт, TO247-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.04 kW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFH60N50P3
pdf, 141 КБ
