IXFK150N30P3, МОП-транзистор, N Канал, 150 А, 300 В, 0.019 Ом, 10 В, 5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 200 ֏
от 5 шт. —
18 800 ֏
от 10 шт. —
18 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 200 ֏
Описание
МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 150 А |
Тип корпуса | TO-264 |
Максимальное рассеяние мощности | 1.3 kW |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 5.13мм |
Высота | 26.16мм |
Размеры | 19.96 x 5.13 x 26.16мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 19.96мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 44 нс |
Производитель | IXYS |
Типичное время задержки выключения | 74 ns |
Серия | HiperFET, Polar3 |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 19 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 300 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 197 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 12100 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 mW |
Qg - заряд затвора | 197 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
Maximum Drain Source Resistance | 19 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.3 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-264 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar3 |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 197 nC @ 10 V |
Width | 5.13mm |
Вес, г | 10 |