IXFK78N50P3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 78 А, 0.068 Ом, TO-264, Through Hole

Фото 1/4 IXFK78N50P3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 78 А, 0.068 Ом, TO-264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 22 900 ֏
Номенклатурный номер: 8556595360
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 78А, 1130Вт, TO264 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 78 A
Maximum Drain Source Resistance 68 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 500 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.13 kW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-264
Pin Count 3
Series HiperFET, Polar3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 147 nC @ 10 V
Width 5.13mm
Вес, г 10

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFX78N50P3
pdf, 126 КБ