N-Channel MOSFET, 24 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100
![Фото 1/4 N-Channel MOSFET, 24 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744356.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC003255107.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/686/DOC029686898.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC006307507.jpg)
75 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 75 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 24А, SOT227B, Ugs: ±30В, 568Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
Maximum Drain Source Resistance | 390 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 568 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Screw Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-227 |
Pin Count | 4 |
Series | HiperFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 267 nC @ 10 V |
Width | 25.42mm |
Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
Pd - рассеивание мощности | 568 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 390 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 21 ns |
Высота | 9.6 mm |
Длина | 38.23 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single Dual Source |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 22 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Серия | IXFN24N100 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Ширина | 25.42 mm |
Вес, г | 40 |