IXFP12N65X2, Силовой МОП-транзистор, X2 Cls, N Channel, 650 В, 12 А, 0.31 Ом, TO-220, Through Hole
![IXFP12N65X2, Силовой МОП-транзистор, X2 Cls, N Channel, 650 В, 12 А, 0.31 Ом, TO-220, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/522/DOC021522540.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 430 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
3 070 ֏
от 100 шт. —
2 420 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 13 720 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.31Ом |
Power Dissipation | 180Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | X2-Class HiperFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 12А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 180Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.31Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet IXFA12N65X2
pdf, 335 КБ