IXFP8N85X, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 850 В, 8 А, 0.85 Ом, TO-220, Through Hole
![Фото 1/2 IXFP8N85X, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 850 В, 8 А, 0.85 Ом, TO-220, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/522/DOC021522540.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806583.jpg)
2 760 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 490 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 11 040 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 8А, Idm: 16А, 200Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.85Ом |
Power Dissipation | 200Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | X-Class HiPerFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 850В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.85Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 378 КБ