IXGH40N120B2D1, БТИЗ транзистор, 75 А, 2.9 В, 380 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 000 ֏
от 5 шт. —
17 800 ֏
от 10 шт. —
16 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6 |
