IXGH48N60C3D1, БТИЗ транзистор, 75 А, 2.3 В, 300 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/3 IXGH48N60C3D1, БТИЗ транзистор, 75 А, 2.3 В, 300 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/734/DOC034734890.jpg)
10 400 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
9 600 ֏
от 10 шт. —
9 200 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 20 800 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 600В, 48А, 300Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.3В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 75А |
Power Dissipation | 300Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | GenX3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXGH48N60C3D1
pdf, 204 КБ