IXTP62N15P, МОП-транзистор, N Канал, 62 А, 150 В, 0.04 Ом, 10 В, 5.5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 090 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 690 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 12 270 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой IXTP62N15P производства IXYS – надежный компонент для силовой электроники. Предназначен для монтажа в отверстия печатных плат (THT), этот N-MOSFET транзистор характеризуется током стока 62 А и напряжением сток-исток 150 В, что делает его подходящим для высокопроизводительных применений. Мощность устройства достигает 350 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,04 Ом минимизирует потери мощности. Корпус TO220 обеспечивает удобство монтажа и достаточное рассеивание тепла. Используя компонент IXTP62N15P в своих схемах, вы получаете высокую эффективность и надежность. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 62 |
| Напряжение сток-исток, В | 150 |
| Мощность, Вт | 350 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.04 |
| Корпус | TO220 |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
| Pd - рассеивание мощности | 350 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 38 ns |
| Время спада | 35 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTP62N15 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 76 ns |
| Типичное время задержки при включении | 27 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 3 |
