IXTQ120N20P, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 200 В, 120 А, 0.022 Ом, TO-3P, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 400 ֏
от 5 шт. —
11 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 400 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор полевой IXTQ120N20P от производителя IXYS представляет собой мощный N-MOSFET компонент для монтажа THT. С током стока до 120 А и напряжением сток-исток на уровне 200 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 714 Вт. Особенно впечатляет низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,022 Ом, что обеспечивает высокую эффективность в работе. Установлен в надежный корпус TO3P, он идеален для применений, требующих высокой надежности и эффективности. Отличный выбор для силовой электроники. Продукт IXTQ120N20P гарантирует долговечность и стабильность в эксплуатации. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 120 |
| Напряжение сток-исток, В | 200 |
| Мощность, Вт | 714 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.022 |
| Корпус | TO3P |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
| Power Dissipation | 714Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PolarHT |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 714Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power Dissipation (Max) | 714W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 500mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | PolarHTв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet IXTQ120N20P
pdf, 232 КБ
