IXTQ75N10P, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 75 А, 0.021 Ом, TO-3P, Through Hole

Фото 1/2 IXTQ75N10P, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 75 А, 0.021 Ом, TO-3P, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 580 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.4 090 ֏
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 13 740 ֏
Номенклатурный номер: 8004136270
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 75 Amps 100V 0.025 Rds

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.021Ом
Power Dissipation 360Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции PolarHT
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 75А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 5.5В
Рассеиваемая Мощность 360Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.021Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-3P
Id - непрерывный ток утечки 75 A
Pd - рассеивание мощности 360 W
Qg - заряд затвора 74 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 21 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 53 ns
Время спада 45 ns
Высота 20.3 mm
Длина 15.8 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PolarHT
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 20 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXTQ75N10
Технология Si
Тип PolarHT Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 66 ns
Типичное время задержки при включении 27 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3P-3
Ширина 4.9 mm
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet IXTQ75N10P
pdf, 294 КБ