IXYB82N120C3H1, БТИЗ транзистор, 164 А, 2.75 В, 1.04 кВт, 1.2 кВ, TO-264AA, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 31 900 ֏
Описание
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 82А, 1,04кВт, PLUS264™ Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 164 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1040 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | PLUS264 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 50kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Case | PLUS264™ |
| Collector current | 82A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 215nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Pulsed collector current | 320A |
| Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Turn-off time | 295ns |
| Turn-on time | 119ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 10 |
