J112, Транзистор, N-канал 35В 50мА [TO-92]
![Фото 1/6 J112, Транзистор, N-канал 35В 50мА [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211862.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827874.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/437/DOC005437285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/607/DOC015607708.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/060/DOC035060761.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/060/DOC035060765.jpg)
261 ֏
161 ֏
от 100 шт. —
144 ֏
1 шт.
на сумму 161 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-JFET, полевой, 5мА, 350мВт, TO92, Igt: 50мА
Технические параметры
Структура | N-канал |
Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 35 |
Ток утечки (Idss), мА | 5(min) |
при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…5 |
при Id, нА | 1000 |
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 50(max) |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.625 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | TO-92 |
Вес, г | 0.3 |