LQW2BASR56J00L 560 нГн, 0805, 5%, Индуктивность SMD
![Фото 1/3 LQW2BASR56J00L 560 нГн, 0805, 5%, Индуктивность SMD](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294163.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/430/DOC047430711.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/323/DOC005323005.jpg)
Цена и сроки поставки по запросу
13 ֏
Кратность заказа 2000 шт.
2000 шт.
на сумму 26 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
560 нГн неэкранированный индуктор с проволочной обмоткой 230 мА 1,9 Ом макс.0805 (2015 метрическая система)
Технические параметры
Номинальная индуктивность, мкГн | 0.56 | |
Допуск номинальной индуктивности,% | 5 | |
Типоразмер | 0805 | |
Вес, г | 0.03 |