MBR40250G, Диод
![Фото 1/5 MBR40250G, Диод](https://static.chipdip.ru/lib/405/DOC035405426.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC043859824.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/065/DOC045065014.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/065/DOC045065018.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/065/DOC045065025.jpg)
1 870 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 870 ֏
Описание
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange.
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | Schottky |
Diode Type | Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 40A |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AC |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 150A |
Peak Reverse Recovery Time | 35ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 250V |
Pin Count | 2 |
Rectifier Type | Schottky Rectifier |
Вес, г | 3.5 |