MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]

Фото 1/4 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
416 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 416 ֏
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 9000119198

Описание

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 5 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.83
Корпус SOT-23-3
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 904 КБ
MMBF170
pdf, 1298 КБ
Документация
pdf, 903 КБ
BS170, MMBF170
pdf, 837 КБ