MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]
![Фото 1/4 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/685/DOC034685057.jpg)
416 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 416 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.2А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 904 КБ
MMBF170
pdf, 1298 КБ
Документация
pdf, 903 КБ
BS170, MMBF170
pdf, 837 КБ