MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3]
![Фото 1/5 MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/587/DOC028587438.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/587/DOC028587442.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
97 ֏
78 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 78 ֏
Посмотреть аналоги14
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,5А, 0,225Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.2А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 98 КБ
Datasheet MMBF170LT1G
pdf, 131 КБ
MMBF170LT1
pdf, 121 КБ