MMBFJ202, Транзистор N-MOSFET 40В 0.05А 0.35Вт [SOT-23-3]
![Фото 1/6 MMBFJ202, Транзистор N-MOSFET 40В 0.05А 0.35Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/116/DOC021116717.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436272.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
116 ֏
от 100 шт. —
106 ֏
1 шт.
на сумму 116 ֏
Описание
Описание Транзистор N-JFET, полевой, 325мВт, SOT23, 50мА Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | JFET |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Configuration | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 4.5 mA |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gate-Source Cutoff Voltage | -4 V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Style | SMD/SMT |
Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
Package / Case | SOT-23 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Product Category | JFET |
RoHS | Details |
Series | MMBFJ202 |
Transistor Polarity | N-Channel |
Unit Weight | 0.001058 oz |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -40 V |
Вес, г | 0.1 |