MMBFJ310LT1G, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]
![Фото 1/6 MMBFJ310LT1G, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438653.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/121/DOC012121012.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/800/DOC029800859.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/690/DOC034690502.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
194 ֏
138 ֏
от 100 шт. —
121 ֏
1 шт.
на сумму 138 ֏
Описание
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт
Технические параметры
Структура | N-канал |
Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 25 |
Ток утечки (Idss), мА | 24…60 |
при Vds, В (Vgs=0) | 10 |
Напряжение отсечки (Vgs off), В | 2…6.5 |
при Id, нА | 1 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | sot-23 |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet MMBFJ310LT3G
pdf, 108 КБ
MMBFJ309, MMBFJ310
pdf, 409 КБ