MPIM450M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 450 А, 1.65 В, 2.8 кВт, 150 °C, Module
![MPIM450M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 450 А, 1.65 В, 2.8 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/358/DOC035358168.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 9-11 недель
170 000 ֏
от 2 шт. —
143 000 ֏
от 3 шт. —
136 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 450А |
DC Ток Коллектора | 450А |
Power Dissipation | 2.8кВт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Количество Выводов | 11вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.65В |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 2.8кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench) |
Вес, кг | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet MPIM450M112TG5
pdf, 3762 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг