MPIM600M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 600 А, 1.7 В, 3 кВт, 150 °C, Module

MPIM600M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 600 А, 1.7 В, 3 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 9-11 недель
175 000 ֏
от 2 шт.147 000 ֏
от 3 шт.140 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 175 000 ֏
Номенклатурный номер: 8007976904
Бренд: Multicomp

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 600А
DC Ток Коллектора 600А
Power Dissipation 3кВт
Выводы БТИЗ Solder
Количество Выводов 11вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность 3кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench)
Вес, кг 1.7

Техническая документация

Datasheet MPIM600M112TG5
pdf, 830 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 6 сентября1 бесплатно
HayPost 10 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг