MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]
![MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
169 шт. с центрального склада, срок 9 дней
2 080 ֏
от 10 шт. —
1 910 ֏
1 шт.
на сумму 2 080 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/1А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 290 | |
| Крутизна характеристики, S | 9 | |
| Корпус | TO-247 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5…5.5 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
MS12N120HGC0
pdf, 2249 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 26 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 30 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
