MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247]
![MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
282 шт. с центрального склада, срок 10 дней
2 720 ֏
от 10 шт. —
2 490 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 720 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.38 Ом/15А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 290 | |
| Крутизна характеристики, S | 30 | |
| Корпус | TO-247 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5.5 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
MS30N100HGC
pdf, 2749 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 10 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 14 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
