MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263]
![MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
244 шт. с центрального склада, срок 10 дней
690 ֏
от 10 шт. —
630 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 690 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9 Ом/1.3А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 | |
| Крутизна характеристики, S | 2.6 | |
| Корпус | TO-263 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.2…6 | |
| Вес, г | 2.4 |
Техническая документация
MS4N1350
pdf, 1335 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 10 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 14 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
