MS5N100FD, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-252]
![MS5N100FD, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
202 шт. с центрального склада, срок 9 дней
270 ֏
от 10 шт. —
247 ֏
1 шт.
на сумму 270 ֏
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2 Ом/1.75А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 | |
Крутизна характеристики, S | 3 | |
Корпус | TO-252/DPAK | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…4.5 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
MS5N100
pdf, 3619 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 26 июля1 | бесплатно |
HayPost | 30 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг