MS5N100FE, TO-263 MOSFETs ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1 шт. с центрального склада, срок 10 дней
600 ֏
от 5 шт. —
560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@10V, 1.75A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 1kV |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@100μA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.154nF |
Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
Power Dissipation (Pd) | 56W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 21.3pF |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 42nC |
Type | null |
Вес, г | 1.94 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3619 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 10 июля1 | бесплатно |
HayPost | 14 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг