MS8N100FE, Транзистор N-MOSFET 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]
![MS8N100FE, Транзистор N-MOSFET 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
157 шт. с центрального склада, срок 9 дней
540 ֏
от 10 шт. —
493 ֏
1 шт.
на сумму 540 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/4А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 | |
| Крутизна характеристики, S | 5.6 | |
| Корпус | TO-263 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
| Вес, г | 2.4 |
Техническая документация
MS8N100F
pdf, 3740 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 26 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 30 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
