MS8N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-220]
![MS8N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
157 шт. с центрального склада, срок 9 дней
660 ֏
от 10 шт. —
600 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом/4А, 10В | |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 | |
| Корпус | to-220 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
MS8N120F
pdf, 2381 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 26 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 30 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
